Confronto tra le RAM Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

18 37

Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.7 16

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.1 12.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2926 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns