RAM-Vergleich Kingston HX316C10F/8 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston HX316C10F/8 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Gesamtnote

Kingston HX316C10F/8 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX316C10F/8 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 74

Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.7 13.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.2 7.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston HX316C10F/8 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2585 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns