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Kingston HX316C10F/8 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
74
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
74
Velocità di lettura, GB/s
14.7
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2585
1616
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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