RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3573
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link