RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
4173
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link