RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
63
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3582
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link