RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
51
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3905
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link