RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3336
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link