RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3336
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link