RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link