RAM-Vergleich Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 28

Rund um 7% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.4 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 12800

Rund um 1.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1977 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns