Confronto tra le RAM Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 28

Intorno 7% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.4 11.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.5 7.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 12800

Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1977 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns