RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3224
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link