RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
55
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2185
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link