RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
55
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2185
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link