RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
81
Rund um -189% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
81
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,885.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
277
3104
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link