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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
17.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
81
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
81
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,885.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
17.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
277
3697
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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