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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
874.3
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
81
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
81
34
Velocidad de lectura, GB/s
1,885.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
874.3
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
277
3697
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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