RAM-Vergleich Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 54

Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.5 1,308.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 5300

Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

371 2234

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns