RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3007
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link