RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3007
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link