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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB vs Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Gesamtnote
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
67
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,338.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
67
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,206.2
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,338.6
13.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
447
3277
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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