Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB против Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Средняя оценка

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.7

Среднее значение в тестах

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Причины выбрать
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 67

Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.9 1,338.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,206.2 18.7
Скорость записи, Гб/сек

1,338.6 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

447 3277

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

модули RAM