RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2193
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link