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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
11.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2773
2848
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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