RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2561
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link