RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
71
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
15.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3529
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link