RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
71
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3529
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link