RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link