RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2808
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link