RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2808
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link