RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3026
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link