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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3026
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XN205T-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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