RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3214
2605
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link