RAM-Vergleich PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Gesamtnote

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

57 63

Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.1 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 5.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1274 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns