RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3357
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link