RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3233
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link