RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3703
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link