RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
25
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3703
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link