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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3368
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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