RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
60
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2590
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link