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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
60
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
60
读取速度,GB/s
4,833.8
15.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2590
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Mushkin 996902 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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