RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
69
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2125
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BC1339.M16F 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link