RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
58
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
19.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
4293
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link