RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
58
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
4293
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link