RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3119
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link