RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3119
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link