RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3845
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link