RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3845
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link