RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2231
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link